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阻隔驱动IGBT功率器材规划技巧八大问

2018-10-18 10:46      点击:

  阻隔驱动IGBT功率器材规划技巧八大问

  IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器材,都需求有充沛的维护以避免欠压、米勒效应、缺失饱满、过载、短路形成的危害。本文经过Avago参加的八大问答评论阻隔驱动IGBT等功率器材的技巧。

  1、凯发娱乐国际怎么避免米勒效应?

  IGBT操作时所面对的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种作用是显着的在0到15V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的风险。

  当上半桥的IGBT翻开操作,dVCE/dt电压改变发作跨过下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容,门极电阻和内部分极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的发作。假如这个电压超越IGBT门极阈值的电压,可能会导致寄生IGBT道通。

  有两种传统解决方案。首先是增加门极和发射极之间的电容。第二个解决方法是运用负门极驱动。第一个解决方案会形成功率丢失。第二个解决方案所需的额定费用为负电源电压。

  解决方案是经过缩短门极-发射极的途径,经过运用一个额定的晶体管在于门极-发射极之间。到达必定的阈值后,晶体管将短路门极-发射极区域。这种技能被称为有源米勒钳位,提供在咱们的ACPL-3xxJ产品。你能够参阅Avago运用笔记AN5314

  2、毛病维护功用有哪些?都是集成在阻隔驱动器里吗?

  3种毛病维护功用都集成到Avago的高集成栅极驱动器ACPL-33xJ里-UVLO(以避免VCC2电平不满足时敞开IGBT),DESAT(以维护IGBT过电流或短路),和米勒钳位(以避免寄生米勒电容形成的IGBT误触发)

  3、在哪些运用场合需求考虑米勒效应的影响?

  IGBT操作时所面对的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种作用是显着的在0到15V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。夏普发布进步功率的LED吸顶灯和L,门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的风险。

  当上半桥的IGBT翻开操作,dVCE/dt电压改变发作跨过下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容,门极电阻和内部分极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的发作。假如这个电压超越IGBT门极阈值的电压,可能会导致寄生IGBT道通。

  有两种传统解决方案。首先是增加门极和发射极之间的电容。第二个解决方法是运用负门极驱动。第一个解决方案会形成功率丢失。第二个解决方案所需的额定费用为负电源电压。

  解决方案是经过缩短门极-发射极的途径,经过运用一个额定的晶体管在于门极-发射极之间。到达必定的阈值后,晶体管将短路门极-发射极区域。这种技能被称为有源米勒钳位,提供在我门的ACPL-3xxJ产品。